英特爾18A製程引領半導體競賽台積電N2緊追在後

隨著美國前總統特朗普推動關稅政策以提振本土晶片製造業，英特爾與台積電之間的競爭日趨白熱化。近日，英特爾首席工程項目經理約瑟夫·博內蒂（Joseph Bonetti）在一篇已刪除的LinkedIn貼文中，直言特朗普的政策是「可怕且令人沮喪的錯誤」，並強調英特爾的18A製程技術將更為先進。這番言論引發業界廣泛關注，也讓英特爾與台積電的技術競賽再度成為焦點。

英特爾18A製程：技術領先但挑戰重重

博內蒂在貼文中詳細介紹了英特爾在半導體製造領域的進展，特別是18A製程技術的突破。18A製程將應用於英特爾的Panther Lake處理器，預計於2025年下半年正式推出。據悉，Panther Lake的樣品已在2025年國際消費電子展（CES）上亮相，目前正在進行測試。

博內蒂強調，18A製程不僅採用了環繞閘極（GAA）電晶體技術，還具備背面供電（backside power delivery）的優勢，這將有效解決長期以來的互連瓶頸問題。他進一步指出，儘管台積電的N2製程也採用了GAA技術，但英特爾在生產時程上可能更具優勢。目前，兩家公司均未真正實現「2奈米」節點，但英特爾有望率先量產。

然而，博內蒂也坦承英特爾面臨的挑戰。由於巨額投資和缺乏大型外部合約，英特爾的代工業務目前仍處於虧損狀態。這使得英特爾在與台積電的競爭中，必須在技術創新與商業模式之間找到平衡。

台積電N2製程：緊追在後

根據台積電的技術路線圖，其2奈米（N2）製程預計於2025年下半年開始量產，並於2026年實現大規模生產。台積電憑藉其在先進製程領域的豐富經驗和龐大的客戶基礎，依然是全球半導體製造的領導者。然而，英特爾的18A製程若能如期推出，將對台積電的市場地位構成直接威脅。

埃米時代的技術競賽：高數值孔徑EUV光刻機

除了18A製程，英特爾在更先進的節點上也展現出雄心。博內蒂提到，未來的製程技術可能需要依賴阿斯麥（ASML）的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻機。英特爾已搶先一步，確保了2024年ASML高數值孔徑光刻機的全部產能，這將為其在14A節點的研發提供重要支持。

據荷蘭媒體報導，ASML的TwinScan EXE:5200光刻機的首批模組將於未來幾個月交付給客戶。業內人士指出，英特爾將成為首個接收該設備的公司，用於其14A節點的研發，而台積電可能要到2028年才能開始高數值孔徑光刻機的大規模生產。這意味著英特爾在埃米時代的技術競賽中，可能擁有至少一年的領先優勢。